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第一章 发展中的硅可控整流元件1

第二章 硅可控整流元件的原理5

2.1 硅可控整流元件的简单介绍5

2.2 半导体、p型半导体和n型半导体8

2.3 p型半导体和n型半导体的导电原理11

2.4 硅整流元件的心脏——p-n结17

2.5 为什么p-n结正、反向导电能力不一样19

2.6 p-n结的雪崩击穿23

2.7 p-n结的相互作用24

2.8 电流放大系数α27

2.9 硅可控整流元件的工作原理30

2.10 硅可控整流元件的控制极是怎样起作用的33

第三章 硅可控整流元件的生产流程36

3.1 扩散-合金法的生产流程36

3.2 硅可控整流元件生产中应注意的问题36

第四章 硅片的机械加工和清洁处理39

4.1 选用什么样的硅单晶39

4.2 硅片的机械加工43

4.3 硅片的清洁处理51

5.1 扩散法制造p-n结57

第五章 扩散57

5.2 采用什么样的方法扩散59

5.3 怎样选择扩散片的参数64

5.4 怎样控制扩散表面浓度67

5.5 如何控制扩散结深73

5.6 结深、表面浓度和p-n结耐压的测量78

5.7 电阻率和长基区宽度对元件特性的影响83

第六章 烧结87

6.1 合金法制造p-n结87

6.2 两种常用的烧结方法90

6.3 怎样选择和控制烧结温度95

6.4 怎样控制烧结深度100

6.5 合金结平坦性的讨论103

6.6 控制极电流大了怎么办108

6.7 没有整流特性的接触——欧姆接触113

6.8 合金材料的选择和配制116

第七章 管芯的表面处理120

7.1 表面处理的重要性120

7.2 管芯表面电场的集中和表面的沾污121

7.3 管芯为什么要磨角123

7.5 表面保护的方法130

7.4 管芯的腐蚀清洗130

7.6 怎样使用有机硅漆131

7.7 怎样得到二氧化硅膜133

7.8 卧式溅射和立式溅射134

7.9 硅橡胶在表面保护中的应用142

第八章 元件的结构和封装145

8.1 对元件的封装有哪些要求145

8.2 管壳材料的演变147

8.3 怎样把元件焊封成型153

8.4 硬焊和压接式结构160

8.5 平板式结构163

第九章 特性的测试167

9.1 硅可控整流元件伏安特性的测试168

9.2 硅可控整流元件控制极特性的测试171

9.3 正向压降的测量173

9.4 p-n结温升的测试175

9.5 正向阻断电压上升率的测试180

9.6 开关时间的测试187

9.7 过载电流及其测试193

第十章 元件性能的提高201

10.1 怎样提高元件的工作电压203

10.2 怎样提高元件的高温特性212

10.3 短路发射极217

10.4 怎样减小硅可控元件的漏电流222

10.5 元件的压降与温升224

10.6 元件的控制极特性227

10.7 电流上升率的提高231

10.8 参数、特性间的关系235

10.9 伏安特性的分析238

11.1 硅双向可控元件246

第十一章 硅可控整流元件的派生元件及有关工艺246

11.2 控制极可关断的硅可控整流元件250

11.3 硅快速开关元件254

11.4 制造硅可控整流元件的双扩散方法259

附录Ⅰ 高纯水的制备268

附录Ⅱ284

Ⅱ.1 几种常用的金属材料及其特性284

Ⅱ.2 几种常用的相图286

Ⅱ.3 p-n结染色显示法288

Ⅱ.4 金刚砂磨料的规格及其表示方法289

Ⅱ.5 扩散表面浓度查对表290