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1 硅材料及硅化合物化学性质1

1.1 硅单晶的化学性质1

1.2 硅化合物的化学性质3

1.3 高纯硅制备的化学原理20

参考文献23

2 微电子技术中的高纯水制备24

2.1 天然水中的杂质24

2.2 微电子技术工程用水27

2.3 离子交换法制备纯水31

2.4 电渗析法制备纯水的原理37

2.5 反渗透法制备纯水的原理41

参考文献50

3 微电子技术中的化学清洗52

3.1 晶片表面清洗的重要性52

3.2 晶片清洗的基本理论和方法55

3.3 颗粒吸附状态分析及优先吸附模型58

3.4 表面活性剂在化学清洗中的应用61

3.5 硅片清洗的常用方法与技术63

3.6 清洗工艺设备和安全操作71

3.7 溶液清洗技术的现状和发展方向73

3.8 新型清洗技术76

参考文献79

4 氧化工艺技术81

4.1 二氧化硅膜在器件中的作用81

4.2 二氧化硅的结构和性质82

4.3 二氧化硅膜制备的化学原理85

4.4 二氧化硅硅界面的物理性质101

4.5 二氧化硅玻璃中的杂质102

4.6 杂质在二氧化硅中的扩散106

4.7 二氧化硅膜质量的检验109

参考文献113

5 扩散工艺技术114

5.1 扩散原理与模型114

5.2 常用扩散杂质的化学性质119

5.3 扩散分布的测量分析123

参考文献127

6 刻蚀工艺技术129

6.1 湿法刻蚀129

6.2 干法刻蚀133

6.3 刻蚀技术新进展142

参考文献146

7 制版工艺技术148

7.1 制版工艺过程148

7.2 超微粒干版制备的化学原理151

7.3 铬版制备技术157

7.4 氧化铁版制备的化学原理161

参考文献168

8 外延生长技术169

8.1 硅外延技术在IC发展中的作用169

8.2 硅外延生长的化学原理173

8.3 外延生长动力学176

8.4 外延层中杂质浓度分布180

8.5 硅烷热分解法外延与选择外延184

8.6 外延层上的缺陷及检验185

8.7 硅外延自掺杂效应及控制190

8.8 硅外延片滑移线产生及消除技术193

8.9 硅外延生长的工艺优化——反向补偿法196

参考文献199

9 金属化处理技术201

9.1 化学气相沉积金属过程201

9.2 物理气相沉积金属过程214

9.3 电极制备218

参考文献231

10 电子封装技术234

10.1 封装技术概述234

10.2 陶瓷封装237

10.3 塑料封装242

10.4 封装的化学原理247

参考文献257